上海华力微电子有限公司张景春获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利缺陷源检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116468712B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310465632.4，技术领域涉及：G06T7/00；该发明授权缺陷源检测方法是由张景春设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本缺陷源检测方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种缺陷源检测方法，包括：提供缺陷芯片，获得缺陷芯片的缺陷信息；建立缺陷源检测模型；将缺陷信息、缺陷芯片的版图及缺陷芯片的制备进程信息输入至缺陷源检测模型中，缺陷源检测模型仿真处理后输出缺陷芯片的缺陷源。本发明通过建立缺陷源检测模型，缺陷源检测模型结合缺陷信息、缺陷芯片的版图及缺陷芯片的制备进程信息进行仿真处理，利于线上快速检测获得缺陷芯片的缺陷源。
本发明授权缺陷源检测方法在权利要求书中公布了：1.一种缺陷源检测方法，用于检测线上缺陷芯片的缺陷源，其特征在于，包括： 提供缺陷芯片，获得所述缺陷芯片的缺陷信息； 建立缺陷源检测模型，所述缺陷源检测模型包括存储模块、版图定位模块、版图分析模块及进程仿真模块；以及， 将所述缺陷信息、所述缺陷芯片的版图及所述缺陷芯片的制备进程信息输入至所述缺陷源检测模型中，所述缺陷源检测模型仿真处理后输出所述缺陷芯片的缺陷源； 其中，所述缺陷源检测模型仿真处理后输出所述缺陷芯片的缺陷源的步骤包括： 所述缺陷信息输入至所述存储模块中，所述版图输入至所述版图定位模块中； 利用所述版图定位模块根据所述缺陷信息获得缺陷在所述版图中的中心坐标位置； 利用所述版图分析模块根据所述中心坐标位置获得所述缺陷源的工艺进程；以及， 所述缺陷芯片的制备进程信息包括所述缺陷源的工艺进程对应的机台参数，利用所述进程仿真模块根据所述缺陷信息、所述缺陷源的工艺进程及所述缺陷源的工艺进程对应的机台参数进行仿真，获得并输出所述缺陷芯片的缺陷源。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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