中国科学技术大学;杨树杨树获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学;杨树申请的专利一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116741804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310599805.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件是由杨树;韩在天;龙世兵设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件，所述平面型氮化镓功率器件自下而上包括衬底、第一半导体层与第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别设有源极与漏极，在第二半导体层靠近源极处设有第三半导体盖帽层，所述第三半导体盖帽层上设有栅极；所述源极的附近设有第二源极以形成混合源极，所述混合源极淀积到所述第二半导体层内部并在侧壁和底部形成金半接触，用于抽取辐照感生过剩空穴，削弱栅极下方区域空穴的累积。本发明能够有效降低辐照后引起的瞬态电流以避免器件的单粒子烧毁，提高HEMT器件的抗辐照能力，能够使辐照后原本需要较长时间复合的栅极下方空穴更有效复合。
本发明授权一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件在权利要求书中公布了：1.一种具有抗单粒子效应能力的平面型氮化镓功率器件，其特征在于，所述平面型氮化镓功率器件自下而上包括衬底、第一半导体层与第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别设有源极与漏极，在第二半导体层靠近源极处设有第三半导体盖帽层，所述第三半导体盖帽层上设有栅极；所述源极的附近设有第二源极以形成混合源极，所述混合源极淀积到所述第二半导体层内部并在侧壁和底部形成金半接触，用于抽取辐照感生过剩空穴，削弱栅极下方区域空穴的累积； 所述第二源极与所述第一半导体层的接触处呈由深至浅的阶梯型。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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