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龙图腾网获悉湖南恩智测控技术有限公司申请的专利电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116610183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310678044.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载，先利用最大预设导通电压对MOSFET进行预导通，从而可以极大的缩短MOSFET的响应时间，同时，在最大预设导通电压加压完成后，停止向MOSFET加压第二预导通时长，使得MOSFET的电流一定从零开始，最终可以使得预设基础电压加压时，MOSFET的上升电流的斜率仍然能够与预期的一致。本发明实施例的电子负载控制方法利用预导通的思想，不但直接有效的缩短了MOSFET的响应时间，还保证了输出电流的上升斜率不变，足以满足市场需求，适合进行产业化推广。

本发明授权电子负载控制方法、系统、存储介质及电子负载在权利要求书中公布了：1.一种电子负载控制方法，其特征在于，所述电子负载包括多个MOSFET，所述电子负载控制方法包括： 向所述MOSFET输出最大预设导通电压，输出持续时长为第一预导通时长； 停止向所述MOSFET输出电压，停止时长为第二预导通时长；所述第二预导通时长根据所述电子负载的负载控制器切换输出电压所需时间得到； 向所述MOSFET输出预设基础电压，直至所述MOSFET输出与所述预设基础电压对应的输出电流； 其中，所述第一预导通时长由以下步骤得到： 向所述MOSFET输出所述最大预设导通电压，并获取所述MOSFET的输出电流的电流波形； 确定所述电流波形中的电流输出起点； 根据开始输出所述最大预设导通电压的对应时刻至所述电流输出起点出现的对应时刻的时长确定所述第一预导通时长； 所述根据开始输出所述最大预设导通电压的对应时刻至所述电流输出起点出现的对应时刻的时长确定所述第一预导通时长，包括： 将开始输出所述最大预设导通电压的对应时刻至所述电流输出起点出现的对应时刻的时长确定为最大预导通时长； 根据所述最大预导通时长和防尖峰预设时间阈值得到所述第一预导通时长； 所述第一预导通时长由下公式得到： t1=t1max-N； 式中，t1为所述第一预导通时长，t1max为所述最大预导通时长,N为防尖峰预设时间阈值。

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