江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司林政勋获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司申请的专利一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116936344B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310913850.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置是由林政勋;郭轲科设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置，涉及半导体技术领域。通过在磨盘上设置多个第一研磨块和多个第二研磨块，第一研磨块上具有表面凹陷，第二研磨块上具有表面凸起，利用凸起型的研磨块和凹陷型的研磨块的异型错位分布，在旋转过程中，可以有效引导研磨下的颗粒向边缘流动，降低因研磨出来的半导体颗粒未能及时排出，所造成的对晶圆更深层的损伤。研磨之后进行清洗然后进行电感耦合等离子体刻蚀抛光，不需要引入抛光过程中的浆液，能大幅度省下抛光产生的耗材及抛光后清洗处理的成本。
本发明授权一种半导体材料的减薄抛光方法及减薄抛光装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体材料的减薄抛光方法，其特征在于，包括： S01，向磨盘中添加研磨液对半导体材料进行研磨，所述磨盘包括磨盘本体，所述磨盘本体上设置有多个第一研磨块和多个第二研磨块，所述第一研磨块上具有表面凹陷，所述第二研磨块上具有表面凸起，所述第一研磨块和所述第二研磨块交替设置；采用两个所述磨盘进行操作，将两个所述磨盘具有研磨块的一面用于夹持所述半导体材料，加入研磨液进行研磨；两个所述磨盘根据安装位置分为上磨盘和下磨盘，所述上磨盘和所述下磨盘为同轴异步转动，所述上磨盘的转速为下磨盘的0.5倍～0.8倍；研磨的过程中所采用的所述研磨液包括研磨粉料，所述研磨粉料包括研磨剂颗粒和包覆于所述研磨剂颗粒上的纳米粉末；所述研磨剂颗粒选自氧化铈颗粒和金刚石颗粒中的至少一种；所述纳米粉末选自氧化锆、氧化镁、氧化铝、氧化钙、氧化镧、氧化钇和氧化铈中的至少一种； S02，采用等离子刻蚀机对半导体材料表面的浆液层进行等离子清洗，然后采用清洗试剂对半导体材料表面进行湿法清洗； S03，使用等离子刻蚀机对半导体材料表面进行等离子体刻蚀抛光处理。
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