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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种低功耗带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117170452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311040588.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种低功耗带隙基准电压源是由屈万园;陈子腾设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低功耗带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低功耗带隙基准电压源，解决了现有技术电路复杂、功耗高和精度低的问题。该带隙基准电压源电路包括带隙基准核心电路和温度补偿电路，其中带隙基准源核心电路利用MOS管泄漏电流产生正温度系数电压，不需要启动电路，极大地减小功耗，温度补偿电路使用指数型电流进行曲率矫正。本电路的优点在于采用新颖的带隙基准电压产生电路，可大幅降低功耗并且结构简单；使用指数型温度补偿电路，可有效提高带隙基准源精度。

本发明授权一种低功耗带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种低功耗带隙基准电压源，其特征在于，包括：带隙基准核心电路1和温度补偿电路2； 所述带隙基准核心电路1包括第一NMOS管MN1、L个第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1、三极管Q1、运算放大器、第一电阻R1、第二电阻R2和第一可调电阻Rt1；其中，MN3的漏极接电源电位，MN3的源极接所有MN2的漏极，MN3的栅极、MN1的漏极和栅极、所有MN2的栅极和源极、运算放大器的负输入端共接；MN1的源极接地；运算放大器输出端连接MP1的栅极；Q1连接成二极管形式，其正极连接MP1的漏极；其负极连接Rt1的第一端，Rt1的第二端连接R2的第一端，R2的第二端、R1的第一端和运算放大器的正输入端共接，R1的第二端连接地电位； 所述温度补偿电路2包括第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第二可调电阻Rt2；其中，MP2、MP3的栅极均连接到MP1的栅极，MP2、MP3的源极均连接电源电位；MP4、MP5的源极相连且连接到MP2的漏极；MP6、MP7的源极相连且连接到MP3的漏极；MP5、MP6栅极相连，MP5、MP7漏极相连且连接到地电位；MP4、MP6漏极相连且连接到MN6的漏极；MN5、MN6栅极相连且连接到MN6的漏极，MN5、MN6源极均接到地电位；Rt2、R3、R4、R5依次串联，其中，Rt2第一端接三极管Q1的正极，Rt2第二端、R3第一端均接输出信号，R3第二端、R4第一端、MP4栅极共接，R4第二端、R5第一端、MP7栅极共接，R5第二端接地电位；MN5漏极接R2第一端和Rt1第二端。

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