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深圳市昇维旭技术有限公司谢明宏获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利介电弛豫量测结构、系统和方法以及半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117080207B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311283573.5,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权介电弛豫量测结构、系统和方法以及半导体器件是由谢明宏设计研发完成,并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

介电弛豫量测结构、系统和方法以及半导体器件在说明书摘要公布了:本公开涉及一种介电弛豫量测结构、系统和方法以及半导体器件,介电弛豫量测结构用于测量半导体器件中电容管的介电弛豫情况,介电弛豫量测结构包括与电容管中导体管套连接的第一导体层、与电容管中导体管芯连接的第二导体层以及夹在两者之间并与电容管中介电部连接的介电绝缘层;且还包括与第一导体层电性连接的第一充电探针和第一量测探针、与第二导体层电性连接的第二充电探针和第二量测探针,第一充电探针和第二充电探针用于与充电装置相导通,实现为电容管进行充电;第一量测探针和第二量测探针用于在充电装置停止向电容管充电的同时与检测装置相导通,以检测电容管的介电弛豫情况。本公开方案可提高介电弛豫检测的精准性。

本发明授权介电弛豫量测结构、系统和方法以及半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种介电弛豫量测结构,用于测量半导体器件中电容管的介电弛豫情况,所述半导体器件包括衬底,所述电容管形成在所述衬底上,所述电容管包括导体管套、导体管芯及介电部,所述导体管芯在与所述衬底相交的方向延伸,所述导体管套至少套设在所述导体管芯的外周侧,所述介电部形成在所述导体管套和所述导体管芯之间;其特征在于,所述介电弛豫量测结构形成在所述衬底上,且包括: 第一导体层,其覆盖所述导体管套的顶端并与之相接触,所述第一导体层具有第一镂空孔,在所述衬底上的正投影中:所述介电部投影在所述第一镂空孔内; 介电绝缘层,其一部分形成在所述第一导体层远离所述衬底的一侧,另一部分位于所述第一镂空孔内并覆盖所述介电部的顶端,所述介电绝缘层具有第二镂空孔,在所述衬底上的正投影中:所述第二镂空孔投影在所述第一镂空孔内,所述导体管芯投影在所述第二镂空孔内; 第二导体层,其一部分形成在所述介电绝缘层远离所述衬底的一侧,另一部分位于所述第二镂空孔内并与所述导体管芯的顶端相接触; 充电探针组,包括与所述第一导体层电性连接的第一充电探针和与所述第二导体层电性连接的第二充电探针,所述第一充电探针和所述第二充电探针用于与充电装置相导通,实现为所述电容管进行充电; 量测探针组,包括与所述第一导体层电性连接的第一量测探针和与所述第二导体层电性连接的第二量测探针,所述第一量测探针和所述第二量测探针用于在所述充电装置停止向所述电容管充电的同时与检测装置相导通,以检测所述电容管的介电弛豫情况。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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