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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种化合物半导体电路隔离结构及含有该结构的化合物半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117174647B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311340861.X，技术领域涉及：H01L21/761；该发明授权一种化合物半导体电路隔离结构及含有该结构的化合物半导体设备是由朱厉阳;李明哲;吴佳燕;彭若诗;徐少东;吴畅;袁俊设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体电路隔离结构及含有该结构的化合物半导体设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种化合物半导体电路隔离结构，其包括隔离槽以及制作在隔离槽下方的阻挡区和接触层；隔离槽底部位于衬底中，阻挡区至少有两列且分别靠近两边化合物器件布设，阻挡区与衬底形成PN结，阻挡区沿隔离槽底部向顶部方向上的正投影位于隔离槽底部区域内，接触层沿隔离槽顶部向底部方向上的正投影位于两列阻挡区或其正投影之间且其掺杂类型与阻挡区的掺杂类型相反，PN结结构与单独的隔离电位及地电位电连接，通过隔离槽和PN结实现相邻两个化合物器件的隔离。该结构中PN结产生的高阻空间电荷区不随电路中电位变化而变化，能够稳定的阻断电路各部之间串扰路径，且用于实现隔离的电位被阻挡区限制在隔离槽中，防止了其对电路其它部分的影响。

本发明授权一种化合物半导体电路隔离结构及含有该结构的化合物半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体电路隔离结构，其特征在于，包括隔离槽（1）以及制作在隔离槽（1）下方的阻挡区（2）和接触层（3）； 所述隔离槽（1）底部位于衬底（4）中，所述阻挡区（2）至少有两列且分别靠近两边化合物器件布设，所述阻挡区（2）与衬底（4）形成PN结，所述阻挡区（2）沿隔离槽（1）底部向顶部方向上的正投影位于隔离槽（1）底部区域内，所述接触层（3）沿隔离槽（1）顶部向底部方向上的正投影位于两列阻挡区（2）或其正投影之间且其掺杂类型与阻挡区（2）的掺杂类型相反，所述PN结结构均通过阻挡区（2）和接触层（3）与单独的隔离电位及地电位电连接； 所述隔离结构通过隔离槽（1）和PN结实现相邻两个化合物器件的隔离； 所述衬底（4）沿隔离槽底部向顶部方向依次为轻掺杂层（41）、高阻层（42）、重掺杂层（43），所述隔离槽（1）贯穿全部重掺杂层（43）、高阻层（42）和部分轻掺杂层（41）。

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