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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117606619B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311637137.3，技术领域涉及：G01J3/28；该发明授权基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片是由韦玮;兰桂莲;骆鹏;张晓健;杨利平;郭安然设计研发完成，并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片在说明书摘要公布了：一种基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片，自上而下依次为源极及漏级、石墨烯氮化硼异质结、纳米间隙层、介质超表面、电介质层、红外探测器、衬底。其中，介质超表面与石墨烯氮化硼异质结之间具有纳米间隙层，介质超表面作为栅极，石墨烯氮化硼异质结表面蒸镀源极及漏级，形成可调谐表面等离激元波导谐振器。红外探测器通过电介质层与可调谐表面等离激元波导谐振器纵向集成，用于红外光谱信号探测。在红外光波照射下，激发低损耗的表面等离激元模式，通过外电场调控谐振峰实现宽波段波长扫描，按时间序列依次获得红外光谱信号，通过处理可获得分子的红外光谱吸收信号，最终实现“光谱增强”与“光谱探测”一体化红外光谱芯片。本发明具有灵敏度高，探测物质种类范围广，体积小，集成度高等优点。

本发明授权基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于可调谐表面等离激元的增强探测一体化红外光谱芯片，其特征在于：包括自上而下的源极及漏级、石墨烯氮化硼异质结、纳米间隙层、介质超表面、电介质层、红外探测器和衬底； 所述介质超表面，是通过在电介质层表面沉积硅层，进一步对硅层进行微纳加工形成超表面的结构轮廓，获得介质超表面结构，用于实现表面等离激元模式与自由空间光的波矢匹配； 所述石墨烯氮化硼异质结，是氮化硼薄膜与石墨烯薄膜复合结构，用于降低基底对石墨烯材料特性的影响，以获得低损耗表面等离激元模式； 所述介质超表面和所述石墨烯氮化硼异质结之间具有纳米间隙层，形成可调谐表面等离激元波导谐振器，在红外光波激发下产生可调谐表面等离激元，从而在石墨烯表面产生强局域电场，进一步通过在石墨烯和介质超表面之间施加的外部电压，对石墨烯的表面电导率进行调节，从而对表面等离激元谐振峰进行动态调节，实现窄带滤波；同时，当表面等离激元谐振频率调谐到与待检测物质的分子振动频率一致时，增强待测分子的红外光谱信号； 所述源极和漏极，沉积在石墨烯氮化硼异质结上，源极和漏极通过石墨烯导通； 所述电介质层，位于所述红外探测器裸片和所述介质超表面之间，用于保护红外探测器裸片表面； 所述红外探测器裸片位于衬底之上，通过电介质层与可调谐表面等离激元波导谐振器纵向集成，用于红外光谱信号探测。

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