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龙图腾网获悉深圳智芯源半导体有限公司申请的专利基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118316284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410405914.X，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统是由杨辉;邓伟设计研发完成，并于2024-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及电源驱动技术领域，揭露了一种基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统，所述方法包括：提取碳化硅Mos管的历史驱动数据中预设指标特征进行特征筛选，得到目标指标特征；对目标指标特征对应的目标指标数据进行指标数据融合，得到每个目标指标特征的融合数据；根据电源参数计算碳化硅Mos管的电源功耗以及开关功耗，根据电源功耗以及开关功耗构建总功耗；根据融合数据生成参数粒子总群，根据总功耗对参数粒子种群进行差分优化，得到优化参数总群；根据优化参数总群确定指标参数数据，根据指标参数数据对碳化硅Mos管对应的电源进行电源驱动。本发明可以提高电源驱动的准确度。

本发明授权基于碳化硅Mos管的电源驱动方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于碳化硅Mos管的电源驱动方法，其特征在于，所述方法包括： 获取碳化硅Mos管的历史驱动数据及电源参数，提取所述历史驱动数据中预设指标特征的指标特征数据，根据所述指标特征数据对所述指标特征进行特征筛选，得到目标指标特征；其中，所述根据所述指标特征数据对所述指标特征进行特征筛选，得到目标指标特征，包括：将所述指标特征数据划分为少数类数据集及多数类数据集，计算所述少数类数据集中每个少数类数据的近邻数据；根据所述近邻数据及所述多数类数据集对所述少数类数据集进行线性插值，得到所述指标特征数据对应的插值数据；根据所述插值数据生成所述指标特征数据的插值特征数据；根据所述插值特征数据计算每个指标特征数据的指标特征权重；根据所述指标特征权重从所述指标特征中筛选出目标指标特征； 在所述历史驱动数据中提取所述目标指标特征对应的目标指标数据，对所述目标指标数据进行指标数据融合，得到每个所述目标指标特征的融合数据； 根据所述电源参数计算所述碳化硅Mos管的电源功耗以及所述碳化硅Mos管的开关功耗，根据所述电源功耗以及所述开关功耗构建总功耗； 利用如下公式计算所述碳化硅Mos管的电源功耗以及所述碳化硅Mos管的开关功耗： 其中，P1表示电源功耗，Ia、Ib分别表示所述电源参数中电源工作电流、电源电容的工作电流，Ra、Rb分别表示所述电源参数中电源以及电源电容的等效内阻，P2表示开关功耗，H表示所述电源参数中的碳化硅Mos管开关频率，U表示所述电源参数中输出端的电解电容电压，IL表示所述电源参数中的电感电流、tr、tf分别表示所述电源参数中的开关上升跃迁时间及开关下降跃迁时间； 根据所述融合数据生成参数粒子总群，根据所述总功耗对所述参数粒子总群进行差分优化，得到优化参数总群； 根据所述优化参数总群确定所述碳化硅Mos管的指标参数数据，根据所述指标参数数据对所述碳化硅Mos管对应的电源进行电源驱动。

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