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龙图腾网获悉南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心申请的专利具备电场调制结构的场效应晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335799B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410468152.8，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权具备电场调制结构的场效应晶体管及其制造方法是由张跃;张腾;黄润华;柏松;杨勇设计研发完成，并于2024-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本具备电场调制结构的场效应晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具备电场调制结构的场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括：位于第二导电类型外延层之中的第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区；位于第一导电类型漂移区之中的绝缘层、第一导电类型漏区，且绝缘层位于第一导电类型源区、第一导电类型漏区之间；位于绝缘层之中的台阶状导电材料，阶状导电材料包括N级导电材料，第一级导电材料至第N级导电材料深度递减；本发明在避免影响器件频率特性的前提下，于半导体体内集成电场调制结构，既可以有效调制电场分布、提升阻断特性，又可以增大漂移区掺杂浓度，进而提升导通特性。

本发明授权具备电场调制结构的场效应晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具备电场调制结构的场效应晶体管，其特征在于，包括： 第二导电类型衬底；位于第二导电类型衬底之上的第二导电类型外延层； 位于第二导电类型外延层之中的第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区，第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区毗邻；第二导电类型阱区的深度大于第一导电类型漂移区的深度； 位于第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区； 位于第一导电类型漂移区之中的绝缘层、第一导电类型漏区，绝缘层、第一导电类型漏区毗邻，第一导电类型漏区的深度大于绝缘层的深度；且绝缘层位于第一导电类型源区、第一导电类型漏区之间；绝缘层的深度范围为0.5µm~4.0µm，绝缘层与第二导电类型阱区之间的距离范围为0.4µm~2.0µm； 位于绝缘层之中的台阶状导电材料，台阶状导电材料包括N级，靠近栅极为第一级导电材料，靠近第一导电类型漏区为第N级导电材料，第一级导电材料至第N级导电材料深度递减，第一级导电材料底部与绝缘层底面的间距为D1，第二级导电材料底部与绝缘层底面的间距为D2，以此类推，第N级导电材料底部与绝缘层底面的间距为DN，D1D2……DN，D1与D2相差0.1µm~1.0µm，D2与D3相差0.1µm~1.0µm，……，DN-1与DN相差0.1µm~1.0µm； 位于第一导电类型漂移区、第二导电类型阱区交界面之上的栅介质，栅介质投影的一侧位于第一导电类型源区之上，另一侧位于第一导电类型漂移区之上； 位于栅介质之上的栅极，栅极的宽度小于栅介质的宽度； 位于栅介质和栅极的两侧及之上的隔离介质； 位于隔离介质一侧、覆盖部分第二导电类型阱区、部分第一导电类型源区的源极；位于隔离介质另一侧、覆盖部分绝缘层、第一导电类型漏区的漏极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心，其通讯地址为：211111 江苏省南京市江宁经济技术开发区秣周东路9号无线谷综合楼8408、8409室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。