思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司刘坤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118299377B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410535595.4，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权半导体器件及其制造方法是由刘坤;李明;曹立设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供了一种半导体器件、制造半导体器件的方法以及集成电路。该半导体器件包括：衬底，具有第一掺杂类型；第一晶体管部，位于衬底上以形成第一类型晶体管结构；以及第二晶体管部，位于衬底上以形成第二类型晶体管结构，第二晶体管部包括：第一掺杂区和第四掺杂区；第一区域，包围并接触第一掺杂区；体极区，比第一掺杂区和第四掺杂区更靠近第一晶体管部；以及具有第一掺杂类型的第二区域，包围并接触第四掺杂区和体极区，并且第二区域接触衬底。本公开的方案可以显著简化半导体器件的制造工艺并且降低制造成本。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件100，包括： 衬底110，具有第一掺杂类型； 第一晶体管部120，位于所述衬底110上以形成第一类型晶体管结构；以及 第二晶体管部130，位于所述衬底110上以形成第二类型晶体管结构，所述第二晶体管部130包括： 具有第二掺杂类型的第一掺杂区133和第四掺杂区134； 具有第二掺杂类型的第一区域131，包围并接触所述第一掺杂区133； 具有第一掺杂类型的体极区135，比所述第一掺杂区133和所述第四掺杂区134更靠近所述第一晶体管部120；以及 具有第一掺杂类型的第二区域132，包围并接触所述第四掺杂区134和所述体极区135，并且所述第二区域132接触所述衬底110。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人思瑞浦微电子科技(上海)有限责任公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号