长飞先进半导体(武汉)有限公司唐宇坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410848533.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由唐宇坤;钟敏;罗成志;潘辉;康婷设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。该功率器件包括：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底的一侧形成碳化硅外延层；在碳化硅外延层远离碳化硅衬底的一侧生长至少一层硅膜层；在至少一层硅膜层远离碳化硅外延层的一侧形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽贯穿至少一层硅膜层；在栅极沟槽内形成沟槽型栅极结构；在碳化硅衬底远离碳化硅外延层的一侧形成漏极。本发明实施例提供的技术方案提升了单沟槽型功率器件的电子迁移率，降低了单沟槽型功率器件的导通电阻。
本发明授权功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供碳化硅衬底； 在所述碳化硅衬底的一侧形成碳化硅外延层； 在所述碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的一侧生长至少一层硅膜层； 在所述至少一层硅膜层远离所述碳化硅外延层的一侧形成栅极沟槽，其中，所述栅极沟槽贯穿所述至少一层硅膜层； 在所述栅极沟槽内形成沟槽型栅极结构； 在所述至少一层硅膜层远离所述碳化硅外延层的一侧形成平面型源极结构； 在所述碳化硅衬底远离所述碳化硅外延层的一侧形成漏极； 在所述碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的一侧生长至少一层硅膜层包括： 在所述碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的一侧进行加热处理，使得所述碳化硅外延层中的硅原子升华并在所述碳化硅外延层远离所述碳化硅衬底的表面重新凝结生长至少一层硅膜层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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