中国人民解放军国防科技大学荀涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于SiC-GaN复合光电导开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119029077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410906576.8，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种基于SiC-GaN复合光电导开关是由荀涛;刘福印;王朗宁;曾玲珑;何婷;杨汉武;刘金亮;张建德设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于SiC-GaN复合光电导开关在说明书摘要公布了：一种基于SiC‑GaN复合光电导开关，包括碳化硅衬底、半绝缘氮化镓外延层和两个电极，半绝缘氮化镓外延层设置上在碳化硅衬底的一个面上；两个电极分别设置在氮化镓外延层上表面的两侧；碳化硅衬底采用高纯半绝缘碳化硅衬底或钒补偿碳化硅衬底中的一种；半绝缘氮化镓外延层通过深能级杂质掺杂。本发明的基于SiC‑GaN复合光电导开关，能够利用碳化硅相对较高的吸收深度增大器件厚度、提升机械强度以实现背面光入射；充分发挥氮化镓优秀的输运特性以实现低导通电阻、高光电转换效率；再次外延生长的薄层氮化镓具有更高的晶体质量，晶体内部缺陷更少、成本更低。
本发明授权一种基于SiC-GaN复合光电导开关在权利要求书中公布了：1.一种基于SiC-GaN复合光电导开关，其特征在于：包括碳化硅衬底、半绝缘氮化镓外延层和两个电极，所述半绝缘氮化镓外延层设置上在碳化硅衬底的一个面上；所述两个电极分别设置在氮化镓外延层上表面的两侧；所述碳化硅衬底采用高纯半绝缘碳化硅衬底或钒补偿碳化硅衬底中的一种；所述半绝缘氮化镓外延层通过深能级杂质铁或碳掺杂；所述碳化硅衬底的厚度在200μm以内； 激光穿过碳化硅衬底入射至半绝缘氮化镓外延层内，透过碳化硅衬底的触发光被半绝缘氮化镓外延层的氮化镓材料吸收，碳化硅与氮化镓内部同时产生光生载流子，在偏置电压的作用下，形成光电流。
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