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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943188B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410991924.6，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由彭安贤;史田超;邓辉设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，半导体器件包括：衬底；半导体外延层，位于衬底的一侧；栅极沟槽，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面；沟槽栅结构，位于栅极沟槽中；第一电极，位于衬底远离半导体外延层的一侧；第二电极，位于半导体外延层远离衬底一侧的表面，且位于沟槽栅结构至少一侧；第三电极，内设于半导体外延层中，且位于沟槽栅结构的底部；其中，半导体外延层中包括与沟槽栅结构接触的第一体区和第二体区；第一体区用于形成导通第一电极与第二电极的第一通道；第二体区用于形成导通第一电极与第三电极的第二通道。本发明实施例提供的技术方案，降低了导通电阻的同时，提高了器件的击穿电压。

本发明授权一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 半导体外延层，位于所述衬底的一侧； 栅极沟槽，位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面； 沟槽栅结构，位于所述栅极沟槽中，所述沟槽栅结构包括多晶硅栅极以及位于所述多晶硅栅极与所述栅极沟槽之间的栅极绝缘层； 第一电极，位于所述衬底远离所述半导体外延层的一侧； 第二电极，位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的表面，且位于所述沟槽栅结构的至少一侧； 第三电极，内设于所述半导体外延层中，且位于所述沟槽栅结构的底部；所述第三电极用于降低栅极沟槽底部和底角处的电场； 其中，所述半导体外延层中包括与所述沟槽栅结构接触的第一体区和第二体区；所述第一体区用于形成导通所述第一电极与所述第二电极的第一通道；所述第二体区用于形成导通所述第一电极与所述第三电极的第二通道； 所述半导体器件还包括介质隔离层；所述介质隔离层位于所述栅极沟槽内且位于所述第三电极与所述多晶硅栅极之间； 在栅极沟槽的底部具有栅极绝缘层的情况下，所述第三电极的顶面与栅极绝缘层接触，所述介质隔离层的厚度大于位于栅极沟槽底部的栅极绝缘层的厚度；在所述栅极沟槽的底部不具有栅极绝缘层的情况下，所述第三电极的顶面与所述介质隔离层接触。

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