世瞳微电子科技有限公司魏燕芳获国家专利权
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龙图腾网获悉世瞳微电子科技有限公司申请的专利单光子雪崩光电二极管、以及包括其的电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223274444U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421817476.X，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型单光子雪崩光电二极管、以及包括其的电子装置是由魏燕芳;陈家诚;鞠国豪;李强设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩光电二极管、以及包括其的电子装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种单光子雪崩光电二极管、以及包括其的电子装置，其中，单光子雪崩光电二极管包括：P型衬底层，N型埋层，设置在P型衬底层之上，P型外延层，设置在N型埋层之上，P型阱，设置在P型外延层中，P型阱上表面低于P型外延层上表面，P型阱下表面与N型埋层接触，P型阱与N型埋层形成PN结，P+区，设置在P型外延层中，P+区的下表面高于N型埋层的上表面，P+区环绕P型阱，N+区，与N型埋层接触，N+区的下表面在N型埋层的上表面之下，N+区环绕P型阱。
本实用新型单光子雪崩光电二极管、以及包括其的电子装置在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩光电二极管，其特征在于，包括： P型衬底层， N型埋层，设置在P型衬底层之上， P型外延层，设置在N型埋层之上， P型阱，设置在P型外延层中，所述P型阱上表面低于P型外延层上表面，所述P型阱下表面与N型埋层接触，所述P型阱与N型埋层形成PN结， P+区，设置在P型外延层中，所述P+区的下表面高于N型埋层的上表面，所述P+区环绕所述P型阱， N+区，与N型埋层接触，N+区的下表面在N型埋层的上表面之下，所述N+区环绕P型阱。
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