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龙图腾网获悉中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119050812B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411168520.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法是由于志远;张文富;王斌浩;任洋明设计研发完成，并于2024-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法。该O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器，包括硅衬底层，在硅衬底层上依次层叠有缓冲层、下波导层、下限制层、量子点有源层、上限制层、上波导层、欧姆接触层以及电极层；所述上波导层和欧姆接触层形成脊形波导和在脊形波导至少一侧的光栅；所述量子点有源层包括InAs量子点层InGaAs势垒层。本发明的O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器具有线宽窄，反射容忍度高，温度稳定性高，阈值电流密度低等优点。

本发明授权一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种O波段硅基三五族量子点窄线宽激光器，其特征在于，包括硅衬底层，在硅衬底层上依次层叠有缓冲层、下波导层、下限制层、量子点有源层、上限制层、上波导层、欧姆接触层以及电极层；所述上波导层和欧姆接触层刻蚀成脊形波导和在脊形波导至少一侧的光栅；所述量子点有源层包括InAs量子点层InGaAs势垒层；所述缓冲层由下至上依次包括AlAs成核层、GaAs缓冲层和AlGaAs位错过滤层，所述GaAs缓冲层的厚度为0.2-2μm；所述脊形波导的宽度为1.5-3μm，一侧的光栅的宽度为0.5-3μm，所述光栅选用一阶光栅或高阶光栅，所述一阶光栅的周期为180-250nm，占空比为0.35-0.75；所述脊形波导为位于中部的条形主体，所述脊形波导的两侧有对称的沿着条形主体长度方向延伸的光栅，所述光栅的高度与上波导层的厚度一致；所述InGaAs势垒层的厚度为2-20nm；所述AlGaAs位错过滤层为多个AlGaAs层；所述下限制层为n型AlGaAs限制层，厚度为50-300nm，采用Si作为掺杂剂，掺杂浓度≥0.3×1018cm-2；所述上限制层为P型AlGaAs限制层，厚度为3-50nm，采用Mg作为掺杂剂，掺杂浓度≥1×1018cm-2；所述两侧光栅上远离脊形波导的两侧以及相邻光栅之间均填充有苯并环丁烯材料形成填充层，所述填充层的厚度与上波导层的厚度一致；所述光栅和填充层与电极层之间沉积有SiO2钝化层，所述SiO2钝化层上开设有金属接触窗口，所述金属接触窗口的宽度与欧姆接触层的宽度相同，且使所述欧姆接触层暴露出来，完成与电极层的欧姆接触。

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