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龙图腾网获悉上海三邦水处理技术有限公司申请的专利一种复合材料处理LED芯片废水的工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119080292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411197948.0，技术领域涉及：C02F9/00；该发明授权一种复合材料处理LED芯片废水的工艺是由张程贻设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种复合材料处理LED芯片废水的工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及一种复合材料处理LED芯片废水的工艺，属于芯片废水处理技术领域。本发明使用一种复合材料处理LED芯片废水，复合材料中的壳聚糖、蛭石、活性炭和纳米氧化铝通过物理吸附和化学吸附作用，将废水中的重金属离子、有机污染物和悬浮物等吸附到材料表面或孔隙中，本发明先制备了壳聚糖蛭石复合物，以戊二醛为交联剂，使壳聚糖与蛭石之间形成牢固的化学键结合，提高壳聚糖蛭石复合物的稳定性和机械强度，并优化了壳聚糖蛭石复合物的孔隙结构，再通过添加活性炭、纳米氧化铝和纳米氧化铁，去除废水中的有机污染物、色度、重金属离子的同时促进有机污染物的降解；本发明通过物理、化学和生物等多种手段的综合运用，实现了废水的高效净化。

本发明授权一种复合材料处理LED芯片废水的工艺在权利要求书中公布了：1.一种复合材料处理LED芯片废水的工艺，其特征在于，所述工艺具体流程如下， S1：将LED芯片废水先经过格栅进行粗过滤，去除废水中的大颗粒杂质和沉淀物； S2：收集粗过滤后的废水，通入调节池1，在调节池1中投入质量分数为10%的碱液；再通入调节池2，调节池2中投入质量分数为10%的酸液，收集调节处理后的废水，向废水中加入结合了壳聚糖、蛭石、活性炭、纳米氧化铝和纳米氧化铁的复合材料，搅拌0.5h； S3：将S2处理后的废水通过超滤膜进行过滤，过滤后得到清液； S4：将S3得到的清液通过反渗透膜浓缩，浓缩2.5-6倍； S5：将S4浓缩后的清液通过离子交换树脂； S6：向S5得到的清液通入臭氧杀菌，排放处理后的废液； 其中，S2中的复合材料制备方法包括：先制备壳聚糖蛭石复合物，在制备壳聚糖蛭石复合物过程中加入戊二醛作为交联剂，使壳聚糖与蛭石之间形成更牢固的化学键结合；再往聚糖蛭石复合物中添加活性炭、纳米氧化铝和纳米氧化铁，活性炭作为吸附剂，纳米氧化铝和纳米氧化铁作为催化剂，纳米氧化铝催化废水中的有机物发生氧化反应，纳米氧化铁加速氧化反应的进行；在催化氧化过程中，活性炭表面吸附的微生物利用纳米氧化铝和纳米氧化铁催化产生的氧化剂进一步降解有机物，起到生物降解与催化氧化的结合；活性炭表面吸附的微生物还与活性炭和壳聚糖蛭石复合物结合，通过催化氧化与吸附相结合的方式去除废水中的有机物，纳米氧化铝和纳米氧化铁通过生成难溶性沉淀物去除重金属离子，壳聚糖蛭石复合物和活性炭参与这一过程，通过吸附作用进一步去除废水中的重金属污染；具体制备方法如下， S2.1：将壳聚糖溶解于醋酸溶液中，以150rmin的转速搅拌0.5h，制得质量分数为30~50%的混合溶液A； S2.2：将蛭石在球磨机中以400rmin的转速研磨0.5h，得到粒径大小为150目的蛭石粉末； S2.3：将蛭石粉末放入混合溶液A中，其中蛭石和壳聚糖的质量比为2：3，再加入0.5~2wt%戊二醛，从室温以2℃min的升温速率缓慢升温至60℃后搅拌2h，得到固液混合物B，将固液混合物B过滤分离，去离子水洗涤滤渣，在80℃下干燥12h，得到混合物C； S2.4：将混合物C，活性炭，纳米氧化铝和纳米氧化铁按质量比2：1：1：1混合研磨，在球磨机中以400rmin的转速研磨0.5h，得到混合物D，混合物D的粒径大小为150目； S2.5：将混合物D在常温下，10MPa的压力下压片，得到所述复合材料。

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