北京燕东微电子科技有限公司邓建军获国家专利权
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龙图腾网获悉北京燕东微电子科技有限公司申请的专利VDMOS结构及功率半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223274430U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422379523.3，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型VDMOS结构及功率半导体器件是由邓建军;常东旭;李雨衡设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本VDMOS结构及功率半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种VDMOS结构及功率半导体器件，包括衬底，位于衬底一侧的外延层和栅极结构；位于外延层中的阱区，其位于栅极结构的两侧；位于阱区中的源极区、掺杂区和金属层，源极区和掺杂区自外延层的顶面向外延层内延伸，金属层位于掺杂区与阱区的底面之间，且金属层的底面高于阱区的底面；位于衬底另一侧的漏极；衬底、外延层和源极区为第一掺杂类型，阱区和掺杂区为第二掺杂类型。这样，阱区中源极区下方的电阻区因金属层和掺杂区的存在，电阻减小，产生的正向压降小于寄生晶体管的正偏置电压，寄生晶体管断开，空穴电流沿阱区、金属层、掺杂区和源极的路径流出，避免了因雪崩击穿导致器件失效的风险，进而提高功率半导体器的可靠性。
本实用新型VDMOS结构及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的外延层，所述外延层具有朝向衬底的底面和远离衬底的顶面； 位于所述外延层的顶面上的栅极结构，所述栅极结构包括层叠设置的栅极介质层和栅极； 位于所述外延层中的阱区，所述阱区自所述外延层的顶面向所述外延层中延伸，所述阱区的底面位于所述外延层中，所述阱区位于所述栅极结构的两侧； 位于所述阱区中的源极区、层叠设置的掺杂区和金属层，其中，所述源极区和所述掺杂区分别自所述外延层的顶面向所述外延层内延伸；沿阱区宽度方向上，所述源极区的边沿与所述掺杂区的边沿相切；所述金属层位于所述掺杂区与所述阱区的底面之间，且所述金属层的底面高于所述阱区的底面； 位于所述衬底另一侧的漏极； 其中，所述衬底、所述外延层和所述源极区为第一掺杂类型，所述阱区、所述掺杂区为第二掺杂类型，第一掺杂类型和第二掺杂类型不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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