苏州隐冠半导体技术有限公司;上海隐冠半导体技术有限公司江旭初获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州隐冠半导体技术有限公司;上海隐冠半导体技术有限公司申请的专利一种静电吸附装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223273256U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422552497.X，技术领域涉及：H01L21/683；该实用新型一种静电吸附装置是由江旭初;孙志鹏;吴宇航;陶伟杰设计研发完成，并于2024-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种静电吸附装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种静电吸附装置，包括绝缘介质层和a个同心的圆环电极分区，相邻两个圆环电极分区之间存在间隔环区；间隔环区和圆环电极分区在圆形平面径向上分别有第一避空区域和第二避空区域。本实用新型在圆环电极分区之间设置间隔环区可吸附不同尺寸的待吸附基体，提高应用灵活性并降低生产成本；同时第一避空区域和第二避空区域的分布用于适应如顶针运动避空及固定件过孔等空间应用需求；另外相邻圆环电极分区的最小距离保证两个圆环电极分区之间不漏电同时最大化空间利用率；最后两种电极分布方式配合使每个圆环电极分区内只需两个电极连接点，减少背部所需走线空间，便于静电吸附装置的集成和调试并提高对不同材料的静电吸附适应能力。
本实用新型一种静电吸附装置在权利要求书中公布了：1.一种静电吸附装置，其特征在于，所述静电吸附装置包括：绝缘介质层20和a个同心的圆环电极分区，a为大于等于2的整数；相邻两个所述圆环电极分区之间存在间隔环区24，每个所述圆环电极分区内均包括第一电极区和第二电极区，每个所述圆环电极分区内的所述第一电极区与所述第二电极区电极性相反；所述绝缘介质层20预设高度的横截面为圆形平面，所述圆形平面的圆心与各个所述圆环电极分区的中心轴12重合；e个的间隔环区24在所述圆形平面径向上的位置存在第一避空区域33，e为大于等于0且小于a的整数；d个所述圆环电极分区内在所述圆形平面径向上的位置存在第二避空区域34，d为大于等于0且小于等于a的整数；e和d不同时为0。
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