甬矽半导体(宁波)有限公司何正鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利蚀刻装置和蚀刻设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223273214U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422608996.6，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型蚀刻装置和蚀刻设备是由何正鸿;韩新;陶毅;田旭设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻装置和蚀刻设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种蚀刻装置和蚀刻设备，涉及蚀刻技术领域。该蚀刻装置包括反应腔室、晶圆放置平台、保护气环和气源，晶圆放置平台设置在反应腔室内，并具有一用于放置晶圆的放置托盘，保护气环设置在晶圆放置平台的侧壁，并环设于放置托盘，且晶圆放置平台具有一气孔通道，气孔通道的一端连通至保护气环，另一端连通至气源，气源通过气孔通道向保护气环通气，以使保护气环膨胀并覆盖晶圆的边缘区域。相较于现有技术，本实用新型通过增设保护气环，在蚀刻时利用气源通过气孔通道向保护气环通气，从而使得保护气环充气后覆盖在晶圆的边缘区域，从而能够对晶圆的边缘进行保护，避免蚀刻过程中对晶圆边缘的过度蚀刻，保证晶圆蚀刻质量。
本实用新型蚀刻装置和蚀刻设备在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻装置，其特征在于，包括反应腔室、晶圆放置平台、保护气环和气源，所述晶圆放置平台设置在所述反应腔室内，并具有一用于放置晶圆的放置托盘，所述保护气环设置在所述晶圆放置平台的侧壁，并环设于所述放置托盘，且所述晶圆放置平台具有一气孔通道，所述气孔通道的一端连通至所述保护气环，另一端连通至所述气源，所述气源通过所述气孔通道向所述保护气环通气，以使所述保护气环膨胀并覆盖所述晶圆的边缘区域。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园滨海大道60号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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