中国科学院长春光学精密机械与物理研究所陈洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种氮化物纳米粒子阵列生长方法及应用、光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510544293.8，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种氮化物纳米粒子阵列生长方法及应用、光电探测器是由陈洋;孙晓娟;黎大兵;贲建伟;蒋科;张山丽;贾玉萍;王炳翔设计研发完成，并于2025-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化物纳米粒子阵列生长方法及应用、光电探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及氮化物纳米粒子制备技术领域，提供了一种氮化物纳米粒子阵列生长方法及应用、光电探测器。本发明利用二维材料刻蚀图形边界缺陷提供悬挂键，氮化物纳米粒子在这些位置具有较低的形核能垒，且具有纳米尺寸的二维材料图形能够保证金属原子和氮原子在有效迁移长度内到达二维材料刻蚀图形边界，进而实现氮化物纳米粒子的可控制备；在光电探测器结构上，设计了一种具有垂直结构的二维材料‑氮化物范德华异质结，金属电极分别位于这两种材料上；范德华异质结结电场可实现光生电荷的自动分离和收集，在零偏压下即可工作，具有自驱动光响应能力。该氮化物纳米粒子阵列生长方法为高集成度、高灵敏度和自驱动型光电探测器制备提供了有效途径。
本发明授权一种氮化物纳米粒子阵列生长方法及应用、光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种氮化物纳米粒子阵列生长方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底表面生长n型掺杂氮化物外延层； 在所述n型掺杂氮化物外延层上生长二维材料层； 对所述二维材料层进行纳米图形加工，以形成纳米阵列排布的二维材料层； 在纳米阵列排布的二维材料层边缘生长氮化物纳米粒子；具体包括： 将形成有纳米阵列排布的二维材料层的衬底置于反应腔内，先向反应腔内通入TMGa源形成Ga金属液滴并吸附到纳米阵列排布的二维材料层边缘，关闭TMGa源后，再通入NH3进行化学反应，在纳米阵列排布的二维材料层边缘形成GaN纳米粒子阵列。
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