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龙图腾网获悉上海川土微电子有限公司申请的专利一种衬底触发均匀开启的NMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120201744B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510676835.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种衬底触发均匀开启的NMOS结构是由郑瑞;沈国平;房祥梅;陈东坡设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底触发均匀开启的NMOS结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底触发均匀开启的NMOS结构，包括P型衬底、第一P型well掺杂类型阱区、多个N型重掺杂有源区、多晶硅栅、边缘P型重掺杂有源区、第二P型well掺杂类型阱区、P型高压掺杂well阱区和P型深掺杂阱区；边缘P型重掺杂有源区、第二P型well掺杂类型阱区和P型高压掺杂well阱区从上到下依次注入P型衬底内，且均呈环形结构设置，边缘P型重掺杂有源区包围环形的N型重掺杂有源区；P型深掺杂阱区注入P型衬底内，且其边缘延伸至P型高压掺杂well阱区的底端。本发明通过特定的掺杂结构和电阻网络分布，解决了现有的多指GGNMOS结构导通不均匀的问题。

本发明授权一种衬底触发均匀开启的NMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种衬底触发均匀开启的NMOS结构，包括P型衬底、第一P型well掺杂类型阱区、多个N型重掺杂有源区和多晶硅栅，所述第一P型well掺杂类型阱区注入于所述P型衬底内，所述多个N型重掺杂有源区间隔注入所述第一P型well掺杂类型阱区内，所述多个多晶硅栅设置于所述第一P型well掺杂类型阱区上，且其侧边和多个条形的所述N型重掺杂有源区交错设置，其特征在于，还包括边缘P型重掺杂有源区、第二P型well掺杂类型阱区、P型高压掺杂well阱区和P型深掺杂阱区； 所述边缘P型重掺杂有源区、所述第二P型well掺杂类型阱区和所述P型高压掺杂well阱区从上到下依次注入所述P型衬底内，且均呈环形结构设置，所述边缘P型重掺杂有源区包围环形的所述N型重掺杂有源区，其中，所述边缘P型重掺杂有源区和所述环形的所述N型重掺杂有源区隔离设置； 所述P型深掺杂阱区注入所述P型衬底内，所述P型深掺杂阱区和所述第一P型well掺杂类型阱区之间形成一层P型衬底间隔，且其边缘延伸至所述P型高压掺杂well阱区的底端。

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