北京中科三环高技术股份有限公司;天津三环乐喜新材料有限公司李志学获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科三环高技术股份有限公司;天津三环乐喜新材料有限公司申请的专利钕铁硼磁体及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510742897.3，技术领域涉及：H01F1/057；该发明授权钕铁硼磁体及其制备方法是由李志学;曹慧钦;李绍芳;关忠海;程毅设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本钕铁硼磁体及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种钕铁硼磁体及其制备方法，该钕铁硼磁体包括以下成分：28wt%~30.5wt%的RL、0.5wt%~2wt%的RH、1.0wt%~2.5wt%的M、0.8wt%~1.0wt%的B、65wt%~69wt%的Fe；与钕铁硼磁体取向方向平行的至少一组相对的两个表面之间的距离为d，所述两个表面中任一表面与距离该表面d1深度处的RH浓度差值为ΔC1，d1深度处与d2深度处的RH浓度差值为ΔC2，d1＜d2，d1与d2之间的距离为d2，并且ΔC1ΔC2≥6，ΔC2与d2的比值k2满足k2＞0，ΔC1与d1的比值k1满足k1＞k2。
本发明授权钕铁硼磁体及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钕铁硼磁体，其特征在于，所述钕铁硼磁体包括以下成分：28wt%~30.5wt%的RL、0.5wt%~2wt%的RH、1.0wt%~2.5wt%的M、0.8wt%~1.0wt%的B、65wt%~69wt%的Fe， 其中，RL包括Nd元素，RH为重稀土元素，M包括Co、Al、Cu、Ga、Zr、Nb、Ti、Mo、Sn、Hf、W中的至少一种； 与钕铁硼磁体取向方向平行的至少一组相对的两个表面之间的距离为d，所述两个表面中任一表面与距离该表面d1深度处的RH浓度差值为ΔC1，d1深度处与d2深度处的RH浓度差值为ΔC2，d1＜d2，d1与d2之间的距离为d2，并且ΔC1ΔC2≥6，ΔC2与d2的比值k2满足k2＞0，ΔC1与d1的比值k1满足k1＞k2；其中10mm≤d≤50mm，2mm≤d1≤5mm。
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