中国电子科技集团公司第二十九研究所张晏铭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十九研究所申请的专利封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120278114B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510756667.2,技术领域涉及:G06F30/398;该发明授权封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法及系统是由张晏铭;赵鸣霄;李杨;李阳阳;董乐;郝立峰;汪昌思;高佳成;侯奇峰设计研发完成,并于2025-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法及系统在说明书摘要公布了:本发明公开了一种封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法及系统,属于射频仿真建模及微波集成制造工艺稳定性控制技术领域,包括步骤:S1,获取传输结构加工离散分布信息;S2,统计特征频点及提取射频性能分布信息;S3,嵌入射频性能数值计算模型统计信息;S4,解算传输结构统计分位数t处电性和几何参数;S5,计算传输结构统计分位数t处S参数;S6,设置t分位数边界解算出几何参数,确定封装工艺控制要求。本发明可以精确定量地将复杂射频传输结构的工艺容差离散分布特性嵌入到射频数值仿真模型中,有助于实现微波制造工艺离散分布特性向产品设计环节的反馈,以及根据设计要求对工艺参数的控制映射。
本发明授权封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种封装工艺分布特性建模嵌入与控制应用方法,其特征在于,包括以下步骤: S1,获取封装工艺结构加工离散分布信息; S2,统计特征频点及提取射频性能分布信息;在步骤S2中,所述统计特征频点及提取射频性能分布信息,具体包括子步骤: 步骤(1),在各样件射频性能曲线上,选定频点并抽取所有样件在该频点处射频性能数据,得到样本数据集Z_freq_0,并将Z_freq_0进行分布特性检验,将满足分布特性的Z_freq_0所对应的频点作为统计特征频点,并对Z_freq_0进行统计分布估计,得到统计特征频点处射频性能的统计分布参数,具体包括均值和标准差; 步骤(2),如果样本数据集Z_freq_0不满足分布特性检验,则重复步骤(1),重新选定频点抽取,获得新一组样本数据集Z_freq_1,然后再次进行分布特性检验评估;如果满足则进入后续步骤; S3,嵌入射频性能数值计算模型统计信息; S4,解算传输结构统计分位数t处电性和几何参数; S5,计算传输结构统计分位数t处S参数; S6,设置t分位数边界解算出几何参数,确定封装工艺控制要求。
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