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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种离散忆阻驱动型神经元设计方法及其实现电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120297339B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510784332.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种离散忆阻驱动型神经元设计方法及其实现电路是由孙克辉;陈雄建;张泽平;毛鸣震;王会海设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离散忆阻驱动型神经元设计方法及其实现电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种离散忆阻驱动型神经元的设计方法及其实现电路，包括确定压控型离散局部有源忆阻器的离散迭代形式；设计基于三角函数的离散型局部有源忆阻器模型；接着确定基于二维映射的离散神经元模型；再将得到的离散型局部有源忆阻器引入离散神经元模型中，得到离散忆阻驱动型神经元模型；最后基于三角函数构建非线性函数，并代入到得到的神经元模型中，完成离散忆阻驱动型神经元的设计。该发明还提供了相应的模拟型与数字型电路构建，具有运行稳定、响应精确、性能优良等优势，展现出良好的应用前景与工程实用性。

本发明授权一种离散忆阻驱动型神经元设计方法及其实现电路在权利要求书中公布了：1.一种离散忆阻驱动型神经元的设计方法，其特征在于包括如下步骤： S1.基于前向差分理论，确定压控型离散局部有源忆阻器的离散迭代形式； S2.根据步骤S1确定的离散迭代形式，设计基于三角函数的离散型局部有源忆阻器模型； S3.基于二维映射，确定离散神经元模型； S4.将步骤S2得到的离散型局部有源忆阻器模型，代入步骤S3中的离散神经元模型，得到一种离散忆阻驱动型神经元模型；包括如下步骤： 将步骤S2得到的离散型局部有源忆阻器模型代入步骤S3得到的离散神经元模型，采用忆阻器中磁通项表征离散神经元的模型表达中的离子电流恢复变量项，将忆阻器的磁通变量映射为离子电流恢复变量，从而得到一种离散忆阻驱动型神经元模型； 采用如下算式表示新型离散忆阻驱动型神经元模型：式中为神经元膜电位的第n次迭代值；为具有N型特征的非线性函数；k为忆阻耦合强度；为离子电流恢复变量的第n次迭代值；a为非线性调制函数的幅值参数；为尺度因子；为N时刻下的忆阻器内部状态变量； S5.基于三角函数构建非线性函数，并代入到步骤S4得到的离散忆阻驱动型神经元模型，完成离散忆阻驱动型神经元的设计。

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