中国工程物理研究院电子工程研究所计炜梁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利双电极压电薄膜超声换能器及其阵列耦合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120306233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510807012.3，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权双电极压电薄膜超声换能器及其阵列耦合方法是由计炜梁;邢占强;孙臣臣;孙翔宇设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本双电极压电薄膜超声换能器及其阵列耦合方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子材料与器件技术领域，具体涉及双电极压电薄膜超声换能器及其阵列耦合方法，该双电极压电薄膜超声换能器包括依次设置的结构层、浮置电场调控层、压电层和电极组件，所述浮置电场调控层配置为无外部电气接口，浮置电场调控层与电极组件之间形成纵向串联电场通路；所述电极组件包括：中心电极，配置为驱动信号输入或接收信号输出端；外环电极，与所述中心电极同轴间隔布置，配置为参考地端。其目的在于，解决双电极PMUT布线及控制电路复杂、工艺成本高的技术问题。
本发明授权双电极压电薄膜超声换能器及其阵列耦合方法在权利要求书中公布了：1.双电极压电薄膜超声换能器，其特征在于，包括依次设置的结构层、浮置电场调控层、压电层和电极组件，所述浮置电场调控层配置为无外部电气接口，浮置电场调控层与电极组件之间形成纵向串联电场通路；所述电极组件包括： 中心电极，配置为驱动信号输入或接收信号输出端； 外环电极，与所述中心电极同轴间隔布置，配置为参考地端； 所述浮置电场调控层通过磁控溅射沉积金属层形成，并与压电层接触，所述压电层由铌酸锂或氮化铝材料制成； 还包括支撑层，所述支撑层配置为基底，所述结构层通过微加工工艺设于支撑层上，结构层为悬空薄膜结构并配置有背腔。
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