蓝河科技(绍兴)有限公司刘永明获国家专利权
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龙图腾网获悉蓝河科技(绍兴)有限公司申请的专利一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120311308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510812035.3，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法是由刘永明;巩前程设计研发完成，并于2025-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法。在步骤S1所限定的不低于1500℃的预定温度及不低于50mbar的预定压力条件下，通过步骤S2通入氢气对掺杂碳化硅衬底进行刻蚀；在该步骤通入不低于氢气流量0.06%的掺杂源气，调节氢气分子与衬底之间碰撞频率，减少或避免氢气刻蚀可能导致过度去除衬底原子层的情况。在步骤S3中，在通入氢气和掺杂源气的基础上，通入不超过氢气流量0.4%的含氯气体配合氢气精细化刻蚀，并增强刻蚀下来的碳、硅的迁移率，避免在衬底上形成硅团簇，通入不超过氢气流量0.04%的含碳源气，利用碳原子迁移填补因刻蚀造成的碳空位，减少晶格缺陷引起的深能级陷阱。
本发明授权一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种降低原生缺陷的碳化硅外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：将掺杂碳化硅衬底置于反应腔室内，向所述反应腔室内通入氢气，控制所述反应腔室内达到不低于1500℃的预定温度及不低于50mbar的预定压力； S2：调整通入所述氢气的流量为第一流量，以不低于所述第一流量0.06%的第二流量向所述反应腔室内通入掺杂源气，以对所述碳化硅衬底进行第一表面预处理； S3：保持所述第一流量不变，调整所述第二流量不低于所述第一流量的0.3%，向所述反应腔室内以不超过所述第一流量0.4%的第三流量通入含氯气体，以不超过所述第一流量0.04%的第四流量通入含碳源气，以在经步骤S2得到的衬底表面进行第二表面预处理； S4：向所述反应腔室内通入所述氢气、所述掺杂源气、含硅源气、所述含碳源气和所述含氯气体，以在经步骤S3得到的衬底表面生长掺杂缓冲层。
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