东京毅力科创株式会社后平拓获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利处理被加工物的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210338506.8，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权处理被加工物的方法是由后平拓;工藤仁设计研发完成，并于2018-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本处理被加工物的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种处理被加工物的方法，该方法包括：蚀刻步骤，其包括通过生成包含碳氟化合物气体和或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来在低温下对载置在载置台上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的主蚀刻；在蚀刻步骤刚执行后或主蚀刻刚执行后，使静电吸盘的温度上升的步骤；和在将静电吸盘的温度设定为高的温度的状态下将被加工物从腔室搬出的步骤。由此，能够在等离子体蚀刻结束后至被加工物从腔室搬出之前，将被加工物上的沉积物除去或使其量减少。
本发明授权处理被加工物的方法在权利要求书中公布了：1.一种用等离子体处理装置来处理被加工物的方法，其特征在于： 所述等离子体处理装置包括： 提供腔室的腔室主体； 载置台，其设置在所述腔室内，且具有用于保持载置在所述载置台上的被加工物的静电吸盘；和 调节所述静电吸盘的温度的温度调节机构， 所述处理被加工物的方法包括： 通过在所述腔室内生成包含碳氟化合物气体和或氢氟烃气体的处理气体的等离子体，来对载置在所述静电吸盘上的被加工物的蚀刻对象膜进行蚀刻的步骤，其中，该步骤包含在利用所述温度调节机构将所述静电吸盘的温度设定为-30℃以下的状态下蚀刻所述蚀刻对象膜的主蚀刻，和在执行了所述主蚀刻之后进一步对所述蚀刻对象膜进行蚀刻的过蚀刻；以及 在所述被加工物被载置在所述静电吸盘上的状态下，利用所述温度调节机构使所述静电吸盘的温度上升，来减少形成在所述被加工物上的包含碳和氟的沉积物的步骤， 使所述静电吸盘的温度上升的步骤，在所述主蚀刻与所述过蚀刻之间执行，以使得所述静电吸盘的温度高于-30℃且低于0℃，或者，在所述过蚀刻的执行期间和所述过蚀刻执行之后的期间中的至少一个期间执行，以使得所述静电吸盘的温度为0℃以上。
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