新唐科技日本株式会社高山彻获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利氮化物系发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118970619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411048628.9，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权氮化物系发光装置是由高山彻;西川透;中谷东吾;左文字克哉;狩野隆司;植田慎治设计研发完成，并于2018-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物系发光装置在说明书摘要公布了：氮化物系发光装置半导体激光装置51a具备：氮化物系半导体发光元件半导体激光元件11，其在AlxGa1‑xN0≤x≤1基板GaN基板101上具有从AlxGa1‑xN基板侧依次层叠了第一包层103、第一光导层105、量子阱活性层106、第二光导层107及第二包层109的多层构造；以及底座基板122，其用于安装氮化物系半导体发光元件，氮化物系半导体发光元件安装于底座基板122使得多层构造与底座基板122对置，底座基板122由金刚石形成，在氮化物系半导体发光元件中，在AlxGa1‑xN基板侧形成有凹型的翘曲。
本发明授权氮化物系发光装置在权利要求书中公布了：1.一种氮化物系发光装置，具备： 氮化物系半导体发光元件，其具有配置在GaN基板上的多层构造； 底座基板，其用于安装所述氮化物系半导体发光元件；以及 接合层，其用于将所述氮化物系半导体发光元件和所述底座基板接合， 所述多层构造具有从所述GaN基板侧依次层叠的第一导电型的第一包层、第一光导层、量子阱活性层、第二光导层及第二导电型的第二包层， 所述多层构造相对于所述GaN基板具有5.2×10-4以下的拉伸性或压缩性的平均形变， 所述氮化物系半导体发光元件安装于所述底座基板使得所述多层构造与所述底座基板对置， 所述氮化物系半导体发光元件具有配置在所述多层构造与所述底座基板之间的电极， 所述氮化物系半导体发光元件的出射侧端面以从所述底座基板的侧壁突出的状态安装于所述底座基板， 所述底座基板平坦且由金刚石形成， 所述第一光导层及所述第二光导层中的至少一方包括In， 所述底座基板的所述侧壁具有相对于所述底座基板的主面的法线方向倾斜的倾斜部。
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