台湾积体电路制造股份有限公司郑宇彣获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110224018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810488000.9，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑宇彣;卢炜业;王毓萱;李弘贸;蔡彦明;陈泓旭;林威戎;张志维;蔡明兴;林圣轩;郑雅忆;林正堂设计研发完成，并于2018-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种半导体结构及其形成方法。在一实施例中，半导体结构包括具有源极漏极区的主动区于基板上；介电层，位于主动区上并具有对准源极漏极区的侧壁的侧壁；以及导电结构，沿着介电层的侧壁至源极漏极区。源极漏极区具有侧壁与自源极漏极区的侧壁横向延伸的横向表面，且源极漏极区还包含自源极漏极区的侧壁横向延伸至源极漏极区中的氮化区。导电结构包含沿着源极漏极区的横向表面并沿着源极漏极区的侧壁的至少一部分的硅化物区。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，包括： 形成一源极漏极区于一基板上的一主动区中； 形成一介电层于该主动区上； 形成一开口穿过该介电层，该开口延伸至该源极漏极区中以形成一沟槽于该源极漏极区中，且一下表面与一侧壁至少部分地定义该沟槽； 形成一硅化物区于该沟槽的该下表面； 经由该沟槽的该侧壁氮化该源极漏极区的至少一部分；以及 将导电材料填入该开口。
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