盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司刘志强获国家专利权
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龙图腾网获悉盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司申请的专利太阳能电池片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811105298.7，技术领域涉及：H10F19/00；该发明授权太阳能电池片及其制备方法是由刘志强;费正洪设计研发完成，并于2018-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池片，其包括硅片；位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻；电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触。本发明的太阳能电池片，通过设置缓冲掺杂区，且缓冲掺杂区的方阻介于轻掺杂区与重掺杂区之间，当由于工艺误差电极与重掺杂区不能完全重合时，缓冲掺杂区可以与偏移的电极形成欧姆接触，由于其掺杂适中，不会导致少子寿命严重偏低，大大改善了电池的效率。
本发明授权太阳能电池片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池片，其特征在于：所述太阳能电池片包括 硅片； 位于所述硅片表面的扩散层，所述扩散层包括轻掺杂区、缓冲掺杂区、重掺杂区，缓冲掺杂区位于轻掺杂区内，所述重掺杂区位于所述缓冲掺杂区内，轻掺杂区的方阻＞缓冲掺杂区的方阻＞重掺杂区的方阻； 电极，所述电极位于所述重掺杂区上并与所述重掺杂区形成欧姆接触； 所述重掺杂区宽度方向两侧均具有部分所述缓冲掺杂区，位于所述重掺杂区宽度方向两侧的所述缓冲掺杂区的宽度介于所述重掺杂区宽度的14~34之间；所述重掺杂区的宽度为所述电极宽度的0.8倍~1.2倍。
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