买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109860185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811297672.8，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构是由J·S·莱布;J·胡;A·达斯古普塔;M·L·哈藤多夫;C·P·奥特设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构在说明书摘要公布了：本公开的实施例属于高级集成电路结构制造的领域，并且具体而言属于10纳米节点和更小的集成电路结构制造和所得结构的领域。在示例中，一种集成电路结构包括半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的半导体鳍状物的N阱区。沟槽隔离层在所述半导体衬底上、包围所述半导体鳍状物，其中所述半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸。栅极电介。质层在所述半导体鳍状物之上。导电层在所述半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧。P型金属栅极层在所述半导体鳍状物之上的所述导电层之上。

本发明授权用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 半导体衬底，所述半导体衬底包括具有从其突出的第一半导体鳍状物的N阱区以及具有从其突出的第二半导体鳍状物的P阱区，所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物间隔开，其中，所述N阱区在所述半导体衬底中与所述P阱区直接相邻； 沟槽隔离层，其在所述半导体衬底上、在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物的外部并在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间，其中，所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物在所述沟槽隔离层上方延伸； 栅极电介质层，其在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物上并在所述沟槽隔离层上，其中，所述栅极电介质层在所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物之间是连续的； 导电层，其在所述第一半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，但不在所述第二半导体鳍状物之上的所述栅极电介质层之上，所述导电层包括钛、氮和氧； p型金属栅极层，其在所述第一半导体鳍状物之上的所述导电层之上，但不在所述第二半导体鳍状物之上的所述导电层之上，其中，所述p型金属栅极层进一步在所述沟槽隔离层的一部分而非全部上； 在所述第二半导体鳍状物之上的n型金属栅极层，其中，所述n型金属栅极层进一步在所述沟槽隔离层之上并在所述p型金属栅极层之上；以及 所述沟槽隔离层上方的层间电介质ILD层，所述层间电介质层具有开口，所述开口暴露所述第一半导体鳍状物和所述第二半导体鳍状物，其中，所述导电层、所述p型金属栅极层和所述n型金属栅极层进一步沿所述开口的侧壁形成，并且其中，所述导电层沿所述开口的侧壁具有顶表面，所述顶表面低于所述p型金属栅极层和所述n型金属栅极层沿所述开口的侧壁的顶表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英特尔公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。