买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京大学申请的专利阻变式存储器的操作电路及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171086B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111471751.8，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权阻变式存储器的操作电路及操作方法是由黄鹏;张逸舟;冯玉林;康晋锋;刘晓彦;刘力锋设计研发完成，并于2019-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本阻变式存储器的操作电路及操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阻变式存储器的操作电路及操作方法，操作电路包括至少一电容，串联于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地。操作方法是串联至少一电容于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地；施加成形或设定脉冲电压于该阻变式存储器，实现对该阻变式存储器的成形或设定操作。本发明通过在每个RRAM的底电极端串联一个电容，使该RRAM通过该电容接地，进而能够实现快速、低功耗的RRAM阵列的批量成形或设定过程，加速RRAM阵列成形或设定过程，减小成形或设定过程中的能耗，并提升成形或设定后的RRAM器件性能。

本发明授权阻变式存储器的操作电路及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变式存储器的操作电路，其特征在于，该电路包括： 至少一电容，直接串联于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地； 其中，所述阻变式存储器包括一阻变存储器单元，所述阻变存储器单元为具有一个阻变存储器（RRAM）的1R结构、具有一个晶体管（Transistor）和一个阻变存储器（RRAM）的1T1R结构、或者具有一个选通管（Selector）和一个阻变存储器（RRAM）的1S1R结构； 所述阻变式存储器为m×n的RRAM阵列结构，m和n均为大于等于1的自然数，在列方向上多个阻变存储器单元的顶电极端连接于同一条位线，在行方向上多个阻变存储器单元的底电极端连接于同一条字线，任意两个阻变存储器单元之间字线的线阻为Rwire，线容为Cwire，这些线容均为并联，线容的影响能够认为是在字线上通过一个大小为n×Cwire的电容接地；串联至少一电容于一阻变式存储器，是利用这些并联的线容作为接地电容；成形或设定脉冲电压施加于与多个阻变存储器单元的顶电极端连接的位线； 所述成形脉冲电压施加于与多个阻变存储器单元的顶电极端连接的位线，具体包括： 通过位线端MUX选择第一行位线BL1，字线端MUX悬空，使各列字线WL1、WL2、……、WLm通过电容接地；在第一行位线BL1上施加一定时长的成形脉冲，完成与第一行位线BL1连接的m个阻变存储器单元成形过程； 与第一行位线BL1连接的m个阻变存储器单元成形过程完成后，打开字线端MUX并接地，将电容上的电压重置为0；随后，关闭字线端MUX，再通过位线端MUX选通第二行位线BL2，在第二行位线BL2上施加一定时长的成形电压，完成与第二行位线BL2连接的m个阻变存储器单元的成形过程； 重复上述过程，直到完成与第n行位线BLn连接的m个阻变存储器单元的成形过程，使得整个阻变存储器阵列成形过程完成。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。