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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110880535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910823044.7，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体器件是由张星旭;郑秀真;赵真英;柳廷昊;李承勋;柳宗烈设计研发完成，并于2019-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：第一有源鳍，其从衬底突出；第一栅极图案，其覆盖第一有源鳍的侧表面和顶表面；以及第一源极漏极图案，其位于第一栅极图案的相对侧，第一源极漏极图案中的每一个包括彼此间隔开的第一下侧和第二下侧、从第一下侧延伸的第一上侧、从第二下侧延伸的第二上侧。第一下侧可以相对于衬底的顶表面以第一角度倾斜，第二上侧可以相对于衬底的顶表面以第二角度倾斜，并且第一角度可以大于第二角度。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 第一有源鳍，其从衬底突出； 第二有源鳍，其从所述衬底突出； 器件隔离层，其位于所述衬底上，所述器件隔离层包围所述第一有源鳍和第二有源鳍，并且与所述第一有源鳍和所述第二有源鳍直接接触； 第一栅极图案，其与所述第一有源鳍和所述第二有源鳍两者交叉； 第一导电类型的第一源极漏极图案； 与所述第一导电类型不同的第二导电类型的第二源极漏极图案；以及 接触插塞，其与所述第一导电类型的所述第一源极漏极图案和所述第二导电类型的所述第二源极漏极图案直接接触，所述接触插塞的整个底表面是平坦的， 其中，所述第一源极漏极图案中的每一个包括： 彼此间隔开的第一下侧和第二下侧， 第一上侧，其从所述第一下侧延伸，和 第二上侧，其从所述第二下侧延伸， 其中，所述第二源极漏极图案中的每一个包括： 彼此间隔开的第三下侧和第四下侧， 第三上侧，其从所述第三下侧延伸，和 第四上侧，其从所述第四下侧延伸， 其中所述第一下侧相对于所述衬底的顶表面以第一角度倾斜，所述第二上侧相对于所述衬底的顶表面以第二角度倾斜，所述第三下侧相对于所述衬底的顶表面以第三角度倾斜，并且所述第一角度大于所述第二角度和所述第三角度， 其中，所述第一上侧和所述第一下侧相交的位置的水平高度高于所述第三上侧和所述第三下侧相交的位置的水平高度，同时所述第一源极漏极图案在所述第一上侧和所述第一下侧相交的位置处的宽度小于所述第二源极漏极图案在所述第三上侧和所述第三下侧相交的位置处的宽度，所述第一源极漏极图案掺杂有n型杂质，所述第二源极漏极图案掺杂有p型杂质，并且 其中，所述第一源极漏极图案的顶表面和所述第二源极漏极图案的顶表面彼此共面，所述第一源极漏极图案和所述第二源极漏极图案的顶表面与所述接触插塞的底表面直接接触。

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