中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112542376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910892499.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供初始基底，初始基底上具有若干相互分立的掩膜层；在初始基底上形成牺牲膜，牺牲膜覆盖掩膜层的侧壁表面和顶部表面，且牺牲膜的材料中的氧具有第一原子百分比；在牺牲膜内形成牺牲开口，且所述牺牲开口底部暴露出至少一个掩膜层顶部表面；形成所述牺牲开口之后，采用第一刻蚀工艺，以所述牺牲膜为掩膜，刻蚀所述掩膜层，直至暴露出初始基底表面；所述第一刻蚀工艺之后，对所述牺牲膜进行改性处理，使所述牺牲膜形成牺牲层，所述牺牲层的材料中的氧具有第二原子百分比，且所述第二原子百分比小于第一原子百分比；所述改性处理之后，去除所述牺牲层。所述方法有利于降低工艺成本，节省工艺时间。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供初始基底，所述初始基底上具有若干相互分立的掩膜层； 在所述初始基底上形成牺牲膜，所述牺牲膜覆盖所述掩膜层的侧壁表面和顶部表面，且所述牺牲膜的材料中的氧具有第一原子百分比； 在所述牺牲膜内形成牺牲开口，且所述牺牲开口底部暴露出至少一个掩膜层顶部表面； 形成所述牺牲开口之后，采用第一刻蚀工艺，以所述牺牲膜为掩膜，刻蚀所述掩膜层，直至暴露出初始基底表面； 所述第一刻蚀工艺之后，对所述牺牲膜进行改性处理，使所述牺牲膜形成牺牲层，所述牺牲层的材料中的氧具有第二原子百分比，且所述第二原子百分比小于第一原子百分比； 所述改性处理之后，去除所述牺牲层； 所述牺牲膜的材料中还含有碳元素。
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