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中国科学院上海微系统与信息技术研究所李浩获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110726484B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201911088568.2,技术领域涉及:G01J11/00;该发明授权背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置是由李浩;周后荣;尤立星;王镇设计研发完成,并于2019-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置在说明书摘要公布了:本发明提供一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置,背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括器件光敏区域及定位环。测试装置包括封装件及套管,背面光耦合超导纳米线单光子探测器件固定于封装件中,并通过套管与封装件及光纤插头的连接,使得光纤插头的中心与背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的中心位于同一垂线上。本发明制备具有特殊形貌的背面光耦合超导纳米线单光子探测器件并与测试装置配合应用,实现高稳定性的自对准光耦合;且利用μm级的标记刻度尺,结合光学显微镜可以直接量化对光误差,使得对光误差控制在μm量级。

本发明授权背面光耦合超导纳米线单光子探测器件、制备及测试装置在权利要求书中公布了:1.一种背面光耦合超导纳米线单光子探测器件,其特征在于,所述背面光耦合超导纳米线单光子探测器件包括: 器件光敏区域; 定位环,所述定位环包括至少一个定位环开口,所述定位环贯穿所述背面光耦合超导纳米线单光子探测器件,且所述定位环位于所述器件光敏区域的外围; 所述器件光敏区域的中心包括标记刻度尺,通过所述标记刻度尺将对光精度量化; 所述定位环的中心与所述器件光敏区域的中心位于同一垂线上; 所述背面光耦合超导纳米线单光子探测器件的制备方法包括以下步骤: 提供衬底,所述衬底包括第一表面及与所述第一表面对应设置的第二表面; 于所述衬底的第一表面上形成超导纳米线; 于所述衬底的第一表面上形成金属反射镜光学腔; 于所述衬底的第二表面上形成光刻胶,图形化所述光刻胶,且以图形化的所述光刻胶作为掩膜,进行刻蚀,形成定位环; 所述标记刻度尺在形成所述超导纳米线的同时形成,且所述标记刻度尺显露于所述金属反射镜光学腔,以通过所述标记刻度尺将对光精度量化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所,其通讯地址为:200050 上海市长宁区长宁路865号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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