索尼半导体解决方案公司堀越浩获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利光电转换元件、固态成像装置和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169197B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980076490.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光电转换元件、固态成像装置和电子设备是由堀越浩设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电转换元件、固态成像装置和电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种占用更小的面积且具有可调节的转换效率和动态范围的光电转换元件。根据本发明的光电转换元件设置有：光电转换单元，其将光信号转换为信号电荷；传输栅极结构，其连接至所述光电转换单元并且传输所述信号电荷；电荷存储区域，所述信号电荷被所述传输栅极结构传输至所述电荷存储区域；电荷保持单元，其电连接至所述电荷存储区域且具有电容器结构以用于存储所述信号电荷；和放大晶体管，其具有电连接至所述电荷存储区域的控制电极。所述光电转换单元、所述传输栅极结构和所述电荷存储区域设置在第一基板上，所述放大晶体管设置在第二基板上；并且所述第一基板和所述第二基板彼此层叠。
本发明授权光电转换元件、固态成像装置和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光电转换元件，其包括： 光电转换单元，用于将光信号转换为信号电荷； 传输栅极结构，其连接至所述光电转换单元并且用于传输所述信号电荷； 电荷存储区域，所述信号电荷被所述传输栅极结构传输至所述电荷存储区域； 具有电容器结构的电荷保持单元，其电连接至所述电荷存储区域并且用于存储所述信号电荷；和 放大晶体管，所述放大晶体管的控制电极电连接至所述电荷存储区域，其中 所述光电转换单元、所述传输栅极结构和所述电荷存储区域设置在第一基板上， 所述放大晶体管设置在第二基板上，并且 所述第一基板和所述第二基板被层叠， 其中，所述电荷保持单元具有多个贯通连接导体，所述贯通连接导体贯穿所述第一基板与所述第二基板之间的接合界面并且用于将所述放大晶体管的所述控制电极和所述电荷存储区域彼此电连接， 其中，在所述多个贯通连接导体的各者的周围设置有一种以上介电材料作为绝缘膜。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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