福懋科技股份有限公司姜颖宏获国家专利权
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龙图腾网获悉福懋科技股份有限公司申请的专利半导体封装防磁结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113066783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010001263.X，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权半导体封装防磁结构是由姜颖宏;林煜能;陈政宏设计研发完成，并于2020-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装防磁结构在说明书摘要公布了：一种半导体封装防磁结构，其特征在于，包含:基板、第一芯片、第一导线、胶层、第二芯片、金属薄膜与第二导线，其中基板具有上表面和下表面以及多个贯穿上表面及下表面的电连接结构，同时在上表面及下表面之间具有一个窗口。第一芯片设有主动面及背面，主动面朝下设置在基板的上表面上，同时第一芯片的部分主动面暴露于窗口中，暴露于窗口的部分主动面与基板的电连接结构电性连接，同时第一导线通过暴露于窗口的部分将主动面与基板的下表面电性连接。接着，胶层设置于第一芯片的背面上，然后第二芯片设置在胶层上，藉由胶层使第二芯片固定在第一芯片的背面上。金属薄膜设置于第二芯片上，以及第二导线同时电性连接金属薄膜的上表面及基板的上表面上。
本发明授权半导体封装防磁结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装防磁结构，其特征在于，包含: 基板，具有上表面和下表面，所述基板具有多个贯穿所述上表面及所述下表面的电连接结构以及在所述上表面及所述下表面之间具有窗口； 第一芯片，具有主动面及背面，所述第一芯片的所述主动面朝下设置在所述基板的所述上表面上，且所述第一芯片的部分所述主动面暴露于所述窗口且部分所述主动面与所述电连接结构电性连接； 第一导线，通过暴露于所述窗口的部分将所述第一芯片的所述主动面与所述基板的所述下表面电性连接； 胶层，设置于所述第一芯片的所述背面上； 第二芯片，设置在所述胶层上，藉由所述胶层使所述第二芯片固定在所述第一芯片的所述背面上； 金属薄膜，设置于所述第二芯片上； 第二导线，分别电性连接所述金属薄膜的上表面及所述基板的所述上表面上；以及 封装结构，用以包覆所述基板的部分所述上表面、所述第二导线、所述金属薄膜、在所述窗口内的所述第一导线及暴露于所述窗口的所述基板的所述下表面。
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