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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置以及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113557608B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080020164.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法是由山崎舜平;掛端哲弥;佐藤优一;芝崎笃;种村和幸;广濑贵史设计研发完成，并于2020-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种晶体管特性偏差小的半导体装置。该半导体装置包括如下制造步骤：形成第一至第三绝缘体；在第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜；将其加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层；去除第二导电层；在第四绝缘体、第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层上形成第五及第六绝缘体；通过形成到达第二氧化物的开口，形成第三氧化物、第四氧化物、第一导电体、第二导电体、第七绝缘体、第八绝缘体；在开口中形成第五氧化物、第九绝缘体、第三导电体，其中第五绝缘体利用偏压溅射法形成。

本发明授权半导体装置以及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤： 依次形成第一绝缘体至第三绝缘体； 在所述第三绝缘体上依次形成第四绝缘体、第一氧化膜、第二氧化膜、第三氧化膜、第一导电膜、第一绝缘膜、第二导电膜； 将所述第一氧化膜、所述第二氧化膜、所述第三氧化膜、所述第一导电膜、所述第一绝缘膜及所述第二导电膜加工为岛状而形成第一氧化物、第二氧化物、第一氧化物层、第一导电层、第一绝缘层、第二导电层； 去除所述第二导电层； 在所述第四绝缘体、所述第一氧化物、所述第二氧化物、所述第一氧化物层、所述第一导电层及所述第一绝缘层上形成第五绝缘体； 在所述第五绝缘体上形成第六绝缘体； 在所述第一氧化物层、所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第五绝缘体及所述第六绝缘体中形成到达所述第二氧化物的开口； 通过形成所述开口，从所述第一氧化物层形成第三氧化物及第四氧化物，从所述第一导电层形成第一导电体及第二导电体，从所述第一绝缘层形成第七绝缘体及第八绝缘体；以及 在所述开口中形成第五氧化物、所述第五氧化物上的第九绝缘体、所述第九绝缘体上的第三导电体， 其中，所述第五绝缘体利用在含氧气氛下施加RF功率的溅射法形成。

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