瑞萨电子株式会社满上拓弥获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利电极装置、半导体装置和半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111865287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010300858.5，技术领域涉及：H03K17/96；该发明授权电极装置、半导体装置和半导体系统是由满上拓弥;荒木雅宏设计研发完成，并于2020-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电极装置、半导体装置和半导体系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够精确检测待检测对象的电极装置、半导体装置和半导体系统。根据一个实施例，电极装置11被用于检测互电电容系统的电容，并且包括接收电极PR1、面对接收电极PR1布置的发射电极PX1、面对接收电极PR1布置的发射电极PX2，使发射电极PX1介于发射电极PX2和接收电极PR1之间、以及电介质板101，设置在发射电极PX1和发射电极PX2之间以用于固定发射电极PX1和发射电极PX2之间的距离和介电常数。
本发明授权电极装置、半导体装置和半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种用于互电容型的电容检测的电极装置，包括： 接收电极； 第一发射电极，与所述接收电极相对地设置； 第二发射电极，与所述接收电极相对地设置，使所述第一发射电极介于所述第二发射电极和所述接收电极之间；以及 电介质基板，设置在所述第一发射电极和所述第二发射电极之间，并且被配置为固定所述第一发射电极和所述第二发射电极之间的距离和介电常数， 其中在所述第一发射电极和所述接收电极之间形成能够在其中插入待检测对象的空间区域，并且 其中基于所述第一发射电极和所述接收电极之间的电容的计算结果，确定所述待检测对象是否被插入在所述第一发射电极和所述接收电极之间；通过使用在所述第一发射电极和所述接收电极之间产生第一电场时的第一消耗电流值和在所述第二发射电极和所述接收电极之间产生第二电场时的第二消耗电流值来计算所述计算结果。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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