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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司;台积电(中国)有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113764281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010847981.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其形成方法是由陈正龙设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一杂质的第一类型深阱；将第二导电类型的第二杂质掺杂到第一类型深阱中，以形成第二类型掺杂区域，其中，第一类型深阱中的第一杂质的浓度高于第二类型掺杂区域中的第二杂质的浓度，并且低于第二类型掺杂区域中第二杂质的浓度的十倍；形成部分嵌入在半导体衬底中的场氧化物，该场氧化物从第二类型掺杂区域的第一侧横向延伸；在第一类型深阱中并且在第二类型掺杂区域的与第二类型掺杂区域的第一侧相对的第二侧形成第二导电类型的第二类型阱。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在半导体衬底中形成具有第一导电类型的第一杂质的第一类型深阱； 将第二导电类型的第二杂质掺杂到所述第一类型深阱中，以形成第二类型掺杂区域，其中，所述第一类型深阱中的所述第一杂质的浓度高于所述第二类型掺杂区域中的所述第二杂质的浓度，但是低于所述第二类型掺杂区域中的所述第二杂质的浓度的十倍； 形成部分嵌入在所述半导体衬底中的场氧化物，所述场氧化物从所述第二类型掺杂区域的第一侧横向延伸； 在所述第一类型深阱中并且在所述第二类型掺杂区域的与所述第二类型掺杂区域的所述第一侧相对的第二侧上形成所述第二导电类型的第二类型阱； 形成横向延伸超过所述第二类型掺杂区域的所述第一侧和所述第二侧的栅极结构；以及 在所述第二类型阱中形成源极区域，并且在所述第一类型深阱中形成漏极区域，其中，所述场氧化物在所述第二类型掺杂区域和所述漏极区域之间横向延伸， 其中，所述方法还包括：在掺杂所述第二杂质之后并且在形成所述场氧化物之前，对所述半导体衬底进行退火， 其中，在对所述半导体衬底进行退火完成之后，所述场氧化物正下方的所述第一类型深阱的最底部位置低于所述第二类型掺杂区域正下方的所述第一类型深阱的最底部位置。

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