中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司郑二虎获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267674B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010975880.X，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑二虎;纪世良;张冬平设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底包括第一隔离区；在所述基底上形成多个栅极结构以及中间层，所述中间层还位于栅极结构侧壁面，且至少2个栅极结构横跨所述第一隔离区；刻蚀第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层，在中间层内形成贯穿第一隔离区上的多个栅极结构的第一开口，刻蚀所述第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层的工艺中，对所述栅极结构和中间层的刻蚀选择比在预设范围内。从而，改善了半导体结构的性能和可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一隔离区； 位于基底上的多个栅极结构，至少2个栅极结构横跨所述第一隔离区，并且，在所述第一隔离区上，横跨所述第一隔离区的2个以上栅极结构中的每个栅极结构内分别具有贯穿所述栅极结构的第一隔离槽； 位于所述第一隔离区表面的第二介质结构，所述第二介质结构还位于多个所述栅极结构侧壁面、以及所述第一隔离槽内； 其中，所述第二介质结构是在刻蚀去除栅极结构之间的中间层以及第一隔离区上的栅极结构后所形成开口内形成的；所述中间层位于相邻所述栅极结构之间且覆盖所述栅极结构的侧壁面；刻蚀所述第一隔离区上的栅极结构及相邻栅极结构间的中间层的工艺中，对所述栅极结构和中间层的刻蚀选择比在预设范围内。
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