盛合晶微半导体(江阴)有限公司潘远杰获国家专利权
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龙图腾网获悉盛合晶微半导体(江阴)有限公司申请的专利一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011059931.0，技术领域涉及：H01L21/683；该发明授权一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构是由潘远杰;周祖源;薛兴涛设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构，通过添加等离子处理工艺，使重布线介质层的表面变粗糙，使其具有良好的亲水性，从而有利于临时键合胶粘剂流动性，实现临时键合胶与重布线介质层的紧密接触，减少后续的高温CVD过程中气泡的产生，从而降低边缘破裂的风险，可以提高产品的产量并可以增加产率。
本发明授权一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构在权利要求书中公布了：1.一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于，包括步骤： 1提供一焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极； 2切去所述衬底的边角； 3采用等离子对所述重布线介质层进行处理，使其表面具有粗化结构，提高所述重布线介质层的亲水性； 4提供基板，利用胶层键合所述焊盘结构与所述基板，所述胶层的初始形态为液态，通过涂覆工艺或点胶工艺形成于所述重布线介质层上，然后将所述基板与所述胶层接触并固化所述胶层，使所述焊盘结构与所述基板临时键合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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