中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497211B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011148796.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括第一区；在所述第一区上形成第一栅极；在所述第一栅极上形成两个以上的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅极，所述第二栅极和第一栅极的材料不同，所述第二栅极结构位于所述第一栅极上部，用于保护所述第一栅极，在机械化学研磨的过程中，不容易产生“凹陷”缺陷，达到改善所述第一栅极结构完整性的目的，从而得到性能更优化的栅极结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括第一区； 位于所述第一区上的第一栅极； 位于部分所述第一栅极上的两个以上的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅极，所述第二栅极和第一栅极的材料不同； 位于所述第一栅极表面的改性层，所述改性层位于所述第二栅极结构之间； 位于所述改性层表面的导电插塞。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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