华为技术有限公司李珩获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利多芯片封装结构、制造方法以及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116457941B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106852.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权多芯片封装结构、制造方法以及电子设备是由李珩;张晓东;王晶;左文明;张娟;周旭设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本多芯片封装结构、制造方法以及电子设备在说明书摘要公布了：一种多芯片封装结构300，400，500，600、制造方法以及电子设备，能够提高多芯片封装的灵活性，以进一步实现电子器件封装的小型化。该封装结构300，400中从上至下依次包括：第一裸芯片层301、第二裸芯片层302以及第三裸芯片层303；第一裸芯片层301和第二裸芯片层302之间设置有多个混合键合结构305；第二裸芯片层302中设置有多个贯穿第二裸芯片层302的TSV307，第三裸芯片层303和第二裸芯片层302之间设置有多个焊料凸点306。
本发明授权多芯片封装结构、制造方法以及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种多芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构中从上至下依次包括：第一裸芯片层、第二裸芯片层以及第三裸芯片层，所述第一裸芯片层包括至少一个第一裸芯片，所述第二裸芯片层包括至少一个第二裸芯片，所述第三裸芯片层包括至少一个第三裸芯片； 其中，第一裸芯片层和第二裸芯片层之间设置有多个混合键合结构，使得所述第一裸芯片层和所述第二裸芯片层之间通过至少一个混合键合结构进行电连接； 所述第二裸芯片层中设置有多个贯穿所述第二裸芯片层的硅通孔TSV，所述第三裸芯片层和所述第二裸芯片层之间设置有多个焊料凸点，所述第一裸芯片层和所述第三裸芯片层之间通过至少一个混合键合结构、与所述至少一个混合键合结构电连接的至少一个TSV以及与所述至少一个TSV电连接的至少一个焊料凸点进行电连接； 所述第三裸芯片层采用的工艺的特征尺寸小于所述第一裸芯片层和所述第二裸芯片层。
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