中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116250077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103775.5，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由张海洋;苏博;肖杏宇设计研发完成，并于2020-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有介质层，所述介质层包括：第二区和位于所述第二区上的第一区，且所述第一区内具有若干相互分立的初始第一纳米线，所述第二区内具有若干相互分立的初始第二纳米线；刻蚀所述第一区的介质层和初始第一纳米线，在所述第一区内形成第一开口，且使所述初始第一纳米线形成第一纳米线；刻蚀所述第一开口底部的介质层和初始第二纳米线，在所述第二区内形成第二开口，且使所述初始第二纳米线形成第二纳米线；在所述第二开口内形成第二源漏层；在所述第二源漏层表面形成隔离层；在所述第一开口内形成第一源漏层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底上具有介质层，所述介质层包括：第二区和位于所述第二区上的第一区，且所述第一区内具有若干相互分立的第一纳米线，所述第二区内具有若干相互分立的第二纳米线； 位于所述第一区内的第一开口以及位于所述第一开口内的第一源漏层； 位于所述第二区内的第二开口以及位于所述第二开口内的第二源漏层； 位于所述第一源漏层和第二源漏层之间的隔离层； 所述第一纳米线和第二纳米线沿第一方向延伸；沿第一方向上，所述第一开口位于所述相邻第一纳米线之间；沿第一方向上，所述第二开口位于所述相邻第二纳米线之间；沿第二方向上，所述第一开口具有第一宽度，所述第二开口具有第二宽度，且所述第二宽度小于第一宽度；所述第二方向垂直于所述第一方向及所述第一开口及第二开口的侧壁。
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