中国科学院上海微系统与信息技术研究所姜玉洁获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利多级信号选择电路、时序调整系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114629478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011454590.7，技术领域涉及：H03K17/284；该发明授权多级信号选择电路、时序调整系统及方法是由姜玉洁;龚正辉;吴旭凡;单毅;陈晓杰设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本多级信号选择电路、时序调整系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多级信号选择电路、时序调整系统及方法，包括：多级信号选择模块，对输入信号进行多级延迟，输出多级延迟信号；选通模块，基于控制信号选择对应的延迟信号输出；时序调整电路，基于多级信号选择电路输出的时钟信号对超导控制信号进行采样，以得到用于CMOS电路的控制信号。本发明的多级信号选择电路、时序调整系统及方法解决了超导电路与CMOS电路信号交换及同步的时序调节问题，针对时钟信号等需要延迟的信号进行时序上的选择和延迟调节，更加有效地满足CMOS电路及SRAM的工作需求。
本发明授权多级信号选择电路、时序调整系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种多级信号选择电路，其特征在于，所述多级信号选择电路至少包括： 多级信号选择模块及选通模块； 所述多级信号选择模块接收输入信号，对所述输入信号进行多级延迟，输出多级延迟信号；其中，奇数级延迟单元包括第二PMOS管、第三PMOS管、第二NMOS管及第三NMOS管；所述第二PMOS管的源极连接电源电压；所述第二PMOS管的漏极连接所述第三PMOS管的源极，并连接至所述第二NMOS管的源极及所述第三NMOS管的漏极；所述第三PMOS管的漏极与所述第二NMOS管的漏极相连，并输出延迟信号；所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极连接；所述第三NMOS管的源极接地；所述第二PMOS管、所述第三PMOS管、所述第二NMOS管及所述第三NMOS管的栅极相连，并接收前级输出信号； 所述选通模块连接所述多级信号选择模块的输出端，并接收控制信号，基于所述控制信号选择对应的延迟信号输出。
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