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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787965B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086261.3，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备是由D·L·雷维尔;S·P·张;B·S·库克;S·R·萨默菲尔德设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微电子装置100，其是通过在晶片101处于允许光致抗蚀剂树脂达到小于10％厚度非均匀性的第一温度下时将所述光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物109的离散量从按需液滴位点108施配到所述晶片101上以形成第一光致抗蚀剂子层112来形成。所述晶片101在所述按需液滴位点108下方在第一方向上移动以形成所述第一光致抗蚀剂子层112。移除所述第一光致抗蚀剂子层112中的所述溶剂的部分。当所述晶片101处于在经组合第一112及第二光致抗蚀剂子层中达到小于10％厚度非均匀性的第二温度下时，第二光致抗蚀剂子层使用所述按需液滴位点108形成于所述第一光致抗蚀剂子层112上。所述晶片101在所述按需液滴位点108下方在所述第二光致抗蚀剂子层的与所述第一方向相反的第二方向上移动。

本发明授权用于数字材料沉积到半导体晶片上的方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种形成微电子装置的方法，其包括： 提供具有具横向周边的第一表面的晶片，其中横向是指平行于所述第一表面的方向，其中所述第一表面在所述晶片的横向周边处不会延伸到所述晶片的弯曲表面上，所述第一表面具有不会延伸到所述横向周边的涂层区； 提供按需液滴位点，所述按需液滴位点经配置以将光致抗蚀剂树脂与溶剂的混合物的液滴施配到所述晶片上，所述混合物具有2厘泊cp到20cp的粘度且具有10重量百分比到20重量百分比的光致抗蚀剂树脂含量，其中所述混合物的剩余物基本上由溶剂组成； 将所述晶片加热到在第一温度范围内的温度； 当所述晶片在所述第一温度范围内时在所述按需液滴位点下方在第一方向上移动所述晶片，并将光致抗蚀剂树脂与溶剂的所述混合物的第一离散量从所述按需液滴位点施配到所述晶片上以在所述晶片上形成光致抗蚀剂层的第一光致抗蚀剂子层，所述第一光致抗蚀剂子层是连续的，所述第一光致抗蚀剂子层覆盖所述涂层区； 在施配光致抗蚀剂树脂与溶剂的所述混合物的所述第一离散量之后，当所述晶片处于所述第一温度范围内时从所述第一光致抗蚀剂子层移除所述溶剂的部分；及 在从所述第一光致抗蚀剂子层移除所述溶剂的所述部分之后，当所述晶片在第二温度范围内时在所述按需液滴位点下方在与所述第一方向相反的第二方向上移动所述晶片，并将光致抗蚀剂树脂与溶剂的所述混合物的第二离散量从所述按需液滴位点施配到所述晶片上以在所述第一光致抗蚀剂子层上形成所述光致抗蚀剂层的第二光致抗蚀剂子层，所述第二光致抗蚀剂子层是连续的，所述第二光致抗蚀剂子层覆盖所述涂层区。

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