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龙图腾网获悉天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司申请的专利薄膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011540862.5，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权薄膜装置是由桑原祐也;竹知和重设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜装置在说明书摘要公布了：提供了一种薄膜装置，包括：第一氧化物半导体薄膜晶体管，包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于顶栅电极和第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜；第二氧化物半导体薄膜晶体管，包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜和位于底栅电极与第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜；底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压。

本发明授权薄膜装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜装置，包括： 第一氧化物半导体薄膜晶体管，其包括顶栅电极、第一金属氧化物薄膜以及位于所述顶栅电极和所述第一金属氧化物薄膜之间的顶栅绝缘薄膜； 第二氧化物半导体薄膜晶体管，其包括底栅电极、第二金属氧化物薄膜以及位于所述底栅电极和所述第二金属氧化物薄膜之间的底栅绝缘薄膜； 底栅绝缘层，其包括所述底栅绝缘薄膜；以及 存储电容器，其配置为存储被施加于所述底栅电极的信号电压， 其中，所述第一金属氧化物薄膜包括第一源区、第一漏区以及位于所述第一源区和所述第一漏区之间的第一沟道区； 其中，所述第二金属氧化物薄膜包括第二源区、第二漏区以及位于所述第二源区和所述第二漏区之间的第二沟道区； 其中，所述存储电容器的第一电极包括所述底栅电极的一部分； 其中，所述第一源区和所述第一漏区中的一个在所述底栅绝缘层的接触孔中与所述底栅电极直接接触； 其中，底栅绝缘薄膜的单位面积电容小于顶栅绝缘薄膜的单位面积电容， 其中所述底栅绝缘薄膜比所述顶栅绝缘薄膜厚， 其中，所述第二氧化物半导体薄膜晶体管进一步包括顶栅电极； 其中，所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极与所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的第二源区和第二漏区中的一个相连，使所述顶栅电极与所连接的第二源区和第二漏区中的一个具有相同的电势，以及 其中，所述存储电容器包括以下一种结构，所述结构包括： 金属氧化物薄膜，其包括在与所述第一金属氧化物薄膜和所述第二金属氧化物薄膜相同的层中，并且位于所述底栅电极的一部分之上并与之接触； 绝缘薄膜，其包括在与所述顶栅绝缘薄膜相同的层中，并且位于所述金属氧化物薄膜之上并与之接触；以及 所述第二氧化物半导体薄膜晶体管的顶栅电极的、位于所述绝缘薄膜之上并与所述绝缘薄膜接触的一部分。

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