江苏宏微科技股份有限公司张景超获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏宏微科技股份有限公司申请的专利IGBT器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114678410B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-08-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011554066.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权IGBT器件及其制作方法是由张景超;戚丽娜;井亚会;林茂;俞义长;赵善麒设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本IGBT器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离。本发明的IGBT器件栅极电容较小，因而开通关断速度快、损耗低。
本发明授权IGBT器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件，其特征在于，所述IGBT器件的沟槽形成于漂移区上部且贯穿阱区和源区，所述沟槽内设有第一多晶硅和第二多晶硅，所述第一多晶硅连接栅极电极，所述第二多晶硅位于所述源区之下的空间内，且所述第二多晶硅与所述第一多晶硅、所述阱区、所述漂移区相隔离，所述第二多晶硅为矩形，所述第二多晶硅嵌于所述第一多晶硅的矩形缺口内，所述第二多晶硅与所述第一多晶硅的矩形缺口之间通过栅氧层相隔离，其中，第一多晶硅的矩形缺口与两个源区之间的阱区对应，使得两个源区位置处的多晶硅栅分别为第一多晶硅在矩形缺口的两侧部分，两个源区之间位置处的多晶硅栅包含第一多晶硅在矩形缺口的上侧部分和浮空的第二多晶硅。
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